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3D TLC  NAND  Flash記憶體新時代  群聯獨步全球推出UFS 2.1晶片PS8311

【竹南訊 / 12月16日】

  未來智慧型手機旗艦機種對於更高速、超高畫質影音的儲存需求隨著5G行動通訊、4K影音及虛擬實境 (VR) 等技術成熟已正式引爆!瞄準這波行動裝置記憶體規格的新時代來臨,全球快閃記憶體晶片領導企業群聯電子正式宣佈,新推出支援3D TLC的UFS 2.1快閃記憶體控制晶片PS8311,該晶片預計於2017年第一季正式量產出貨。

  群聯電子同時也是國際快閃記憶體組織 (UFSA) 的董事成員,群聯電子董事長潘健成表示:「我們成功在eMMC /eMCP的行動裝置記憶體市場上取得領先地位,因應記憶體原廠明年3D TLC 產能將全面開出並成為主流,群聯電子率先推出符合 JEDEC UFS 2.1規格的快閃記憶體控制晶片PS8311,支援多家大廠的 3D TLC,將可助力客戶推出更貼近消費者一再要求更高速、更大容量行動儲存需求的產品。」

  潘健成進一步指出,「著眼于高階智慧型手機一線品牌客戶對終端產品差異化的設計要求,群聯電子除了首款UFS 2.1控制晶片PS8311之外,2017年將再推出一系列的UFS晶片,提供各種不同規格的解決方案以完善產品線供客戶選擇。」

  群聯電子累積多年來的研發能量,PS8311 透過獨有的StrongECC錯誤修正技術、CoXProcessor架構、加上自行研發的M-PHY、UniPro、 UFS 實體層矽智財,在先進封裝制程之下,可以提供客戶多種行動記憶體解決方案,包括UFS記憶卡、嵌入式UFS、搭載DRAM的uMCP等。

  UFS 為新世代的行動記憶體儲存系統標準,可望取代目前主流的eMMC與 eMCP,成為旗艦手機的標準配備。相較於 eMMC 標準,UFS 2.1 使用更快的序列介面,並支援全雙工(Full Duplex)與命令佇列 (Command Queue) 等新規格。PS8311 的實測序列讀取速度足足比 eMMC快了30%,同時在IOPS的表現亦遠遠超過eMMC,隨機讀取速度達28,500 IOPS,寫入速度為26,500 IOPS,相當於比eMMC快上了2至3倍,將行動裝置使用者體驗提升到全新水準。

  群聯電子快閃記憶體控制晶片PS8311簡述:
 -符合UFS 2.1、High-Speed Gear 3、單通道傳輸/雙通道介面
 -支持 2D & 3D TLC、八組 NAND 顆粒,容量最大達 256GB
 -獨有的StrongECCTM技術,相較于傳統 BCH ECC,達到節電7成、解碼效能提升3成、可強化並確保 3D TLC 可靠度
 -獨有的CoXProcessorTM架構承襲 PCIe架構的設計理念,可減少系統延遲、提升隨機存取速度
 -自行開發M-PHY實體層,UniPro & UFS IP,掌握核心技術,提升設計彈性
 -3D TLC連續讀/寫速度達到 410/235 MB/s
 -3D TLC隨機讀/寫速度達到 28.5K/26.5K IOPS

 

 

Published at: [2016-12-16]