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群聯新推出SD 5.1 A1之MaxIOPS系列控制晶片 PS8131

  全球NAND Flash控制晶片領導廠商群聯電子今(24)日於2017年SD協會全球技術研討會上介紹新推出的可搭載東芝64層垂直儲存的 3D NAND ( BiCS3)的技術SD 5.1 A1規範相容之MaxIOPS系列記憶卡控制晶片PS8131,相較於前一代2D NAND版本的產品,其效能速度快上2倍。

  群聯電子深耕SD控制晶片技術,隨著5G、4K8K等高階規格數位串流時代來臨,正積極地搶攻各種高階智慧手機、平板電腦等智慧行動裝置之快閃記憶體市場,並提供穩定且可靠的擴充型記憶卡解決方案,今年度,隨即推出符合SD最新規範晶片PS8131,該晶片不僅具備群聯電子自主開發技術,更搭配了最新製程3D TLC的 NAND Flash,將為市場提供一個高速且符合經濟效益的完整解決方案。



  在效能表現上,PS8131延續前一代的MaxIOPS系列技術,為具備SD 5.1 A1規範的NAND Flash高階控制晶片,能提供高於前一代產品2倍的隨機寫入速度 (從 500 IOPS 提升至 1300 IOPS),並強化了控制晶片的

  硬體及韌體架構,而且不僅能相容於目前的Android Marshmallow作業系統,更能流暢支援最新的Nougat作業系統,與智慧行動裝置的內存透過嵌入式擴展儲存功能 (Adoptable storage function) 完美的整合運作,讓終端使用者能有更高的記憶體儲存容量可以使用,提升使用者經驗。

  在技術發展上,PS8131支援群聯電子自主開發的最新科技StrongECCTM糾錯技術,因此不但具備精簡及低功耗的設計特性,更能增加3D NAND Flash的可靠度,且預計於今年上半年開始出貨搭載具備東芝(Toshiba)64層垂直儲存的 3D NAND ( BiCS3)的高容量儲存解決方案,而PS8131容量支援將從32G至256GB皆可達到最佳化表現。

  另方面,PS8131符合目前最新的SD 5.1 A1 規範 (Application Performance Class),具備超高性能,表現在Read/Write IOPS, PS8131 MaxIOPS+ 輕鬆達到2000/1300, 遠高於SD 5.1 A1 規範的1500/500,不但能為Android 7.0 / 6.0裝置的使用者提供即刻擴充內部記憶體儲存容量的便利性,更能完美的與行動裝置內存整合運作,將行動裝置使用者體驗提升到全新水準,以滿足日益增加的高容量移動儲存需求的智慧型手機、平板電腦等新一代行動裝置擴充記憶體儲存的需求。

  今年的SD協會全球技術研討會, 在SD協會主持下,百佳泰、東芝、群聯等也熱情參與協辦和支持並分享最新記憶卡技術, 共同推廣SD協會的最新規範,為新一代的高階行動及攝像裝置做準備。

 

Published at: [2017-4-24]