首頁新聞資訊 企業新訊


 
 
 
 
 
 
 
   
 

群聯電子新2017 FMS登場 群聯大秀最新快閃控制晶片卡位高階市場

  全球最大快閃記憶體技術盛會「2017年快閃記憶體高峰會」 (2017 Flash Memory Summit;FMS) 即將在美國時間8月8日於聖塔克拉拉正式登場,快閃記憶體 (NAND Flash) 控制晶片解決方案領導廠商群聯電子 (TPEX: 8299) 多項快閃控制晶片包括UFS、SSD等高階新晶片同步亮相,其中UFS超前國際一線大廠,領先發表3.0規格技術設計,更是震撼業界,更成為2017 FMS上最令人期待的亮點。

  群聯電子在今年下半年全力啟動新一代的3D NAND支援的NAND Flash控制晶片,在FMS國際大展上,基於3D NAND製程之最新高階快閃控制晶片全面亮相,包括有可符合未來5G旗艦智慧型手機最高階UFS 2.1規格的快閃控制晶片PS8313,以及日前在國際記憶體技術論壇JEDEC Mobile & IoT Forum上最新發表的UFS 3.0規格技術設計。在SSD方面,同步推出PCIe G3x4 以及SATA III兩種規格的最高階8通道快閃控制晶片PS3112-E12以及PS3112-S12

  董事長潘健成表示,「群聯電子在智慧型手機嵌入式快閃記憶體市場已取得高市占率,除了做大還要做強,並持續投資先進技術研發,符合高階智慧機種主流規格UFS 2.1雙通道的快閃控制晶片PS8313今日正式亮相,該晶片將引領UFS的讀寫速度推進到SSD等級,並搭配NAND Flash國際大廠最新3D TLC技術,將可提供高階智慧型手機達到最佳容量的性價比。布局次世代進度上,已領先全球同業在今年第三季完成UFS 3.0控制晶片的設計,贏得國際大廠認證先機。」

  群聯電子日前於記憶體JEDEC技術論壇上發表最新UFS 3.0控制晶片的設計理念,技術獨步成為2017FMS會展上另一焦點話題。群聯電子技術長馬中迅表示,JEDEC目前正著手進行制定UFS 3.0規格,兩年後將會成為新世代旗艦手機內嵌式記憶體主流規格。依UFS 3.0 Gear 4 雙通道頻寬可達2400MB/s, 為目前eMMC的六倍,堪比高速 PCIe介面。群聯電子憑藉自行研發的 IP突破高階 UFS封裝帶來的挑戰,所發表最新晶片的設計,在速度、功耗、記憶體的支援、製程、價格與時程上皆取得平衡且達到高品質的效率,將於2018下半年正式量產。

  SSD快閃控制晶片進展上,潘健成指出,「近期在大陸市場爆發SSD黑心晶片事件,讓客戶更瞭解到群聯電子的產品一再強調長期合作、可信賴是何其重要,這也提供了群聯電子擴大SSD市占率的機會。除此之外,技術再向前邁進的新晶片PS3112-E12以及PS3112-S12將是群聯電子深耕高階SSD市場的重要新品,亦蘊釀群聯電子下一波的成長機會。」

 

關於群聯電子 

群聯電子 (Phison Electronics Corp.) (TPEX:8299) 為全球快閃記憶體(NAND Flash)控制晶片及儲存解決方案領導廠商。身為快閃記憶體專家,從IP技術授權、晶片設計、系統架構解決方案、系統整合、成品,提供不同需求的客戶最佳的產品及服務。在各項產品類別上,包括SSD (PCIe/SATA/PATA)、eMMC/UFS、SD、或是USB介面皆可提供完整的儲存解決方案,客戶應用亦遍及各類消費性電子、企業級、以及工業車用。在標準制定上,群聯電子擔任SDA、ONFI、UFSA的董事會成員,並積極貢獻JEDEC、PCI-SIG、MIPI、NVMe、IEEE-SA等規範。

 

Published at: [2017-8-9]