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迎接3D TLC  NAND  Flash内存新时代,群联推出UFS 2.1芯片PS8311

 【12月16日】

  未来智能型手机旗舰机种对于更高速、超高画质影音的储存需求随着5G行动通讯、4K影音及虚拟现实 (VR) 等技术成熟已正式引爆!瞄准这波行动装置内存规格的新时代来临,全球闪存芯片领导企业群联电子正式宣布,新推出支持3D TLC的UFS 2.1闪存控制芯片PS8311,该芯片预计于2017年第一季正式量产出货。

  群联电子同时也是国际闪存组织 (UFSA) 的董事成员,群联电子董事长潘健成表示:「我们成功在eMMC /eMCP的行动装置内存市场上取得领先地位,因应内存原厂明年3D TLC 产能将全面开出并成为主流,群联电子率先推出符合 JEDEC UFS 2.1规格的闪存控制芯片PS8311,支持多家大厂的 3D TLC,将可助力客户推出更贴近消费者一再要求更高速、更大容量行动储存需求的产品。」

  潘健成进一步指出,「着眼于高阶智能型手机一线品牌客户对终端产品差异化的设计要求,群联电子除了首款UFS 2.1控制芯片PS8311之外,2017年将再推出一系列的UFS芯片,提供各种不同规格的解决方案以完善产品线供客户选择。」

  群联电子PS8311 透过独有的Strong ECC 错误修正技术、CoXProcessor架构、加上自行研发的M-PHY、UniPro、 UFS 物理层硅智财,在先进封装制程之下,可以提供客户多种行动内存解决方案,包括UFS记忆卡、嵌入式UFS、搭载DRAM的uMCP等。

  UFS 为新世代的行动内存储存系统标准,可望取代目前主流的eMMC与 eMCP,成为旗舰手机的标准配备。相较于 eMMC 标准,UFS 2.1 使用更快的串行接口,并支持全双工(Full Duplex)与命令队列 (Command Queue) 等新规格。PS8311 的实测序列读取速度足足比 eMMC快了30%,同时在IOPS的表现亦远远超过eMMC,随机读取速度达28,500 IOPS,写入速度为26,500 IOPS,相当于比eMMC快上了2至3倍,将行动装置用户体验提升到全新水平。

  群联电子闪存控制芯片PS8311简述:
  -符合UFS 2.1、High-Speed Gear 3、单信道传输/双信道接口
  -支持 2D & 3D TLC、八组 NAND 颗粒,容量最大达 256GB
-独有的Strong ECC技术,相较于传统 BCH ECC,达到节电7成、解碼效能提升3成、可强化并确保 3D TLC 可靠度
-独有的CoXProcessor架构承袭 PCIe架构的设计理念,可减少系统延迟、提升随机访问速度
-自行开发M-PHY物理层,UniPro & UFS IP,掌握核心技术,提升设计弹性
-3D TLC连续读/写速度达到 410/235 MB/s
-3D TLC随机读/写速度达到 28.5K/26.5K IOPS

关于群联电子

群联电子 (Phison Electronics Corp.) (TPEX:8299) 为全球闪存(NAND Flash)控制芯片及储存解决方案领导厂商。身为闪存专家,从IP技术授权、芯片设计、系统架构解决方案、系统整合、成品,提供不同需求的客户最佳的产品及服务。在各项产品类别上,包括SSD (PCIe/SATA/PATA)、eMMC/UFS、SD、或是USB接口皆可提供完整的储存解决方案,客户应用亦遍及各类消费性电子、企业级、以及工业车用。在标准制定上,群联电子担任SDA、ONFI、UFSA的董事会成员,并积极贡献JEDEC、PCI-SIG、MIPI、NVMe、IEEE-SA等规范。

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