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群联最新UFS2.1芯片PS8313引领智能旗舰机跨世代

  闪存 (NAND Flash) 控制芯片解决方案领导厂商群联电子 (TPEX: 8299) 将在美国时间8月8日于2017年闪存高峰会 (Flash Memory Summit;2017 FMS) 正式发表最新符合UFS 2.1 高速双信道规范的闪存控制芯片PS8313。群联电子董事长潘健成表示,PS8313是群联电子与国际3D NAND大厂共同合作的最新成果,将助力智能型手机次世代的旗舰机种进入超高速储存时代。

  智能型手机的旗舰机种设计正积极导入5G高速行动网络、8K4K高画质多屏串流等技术,高阶内存技术规格也悄然地进入UFS时代。UFS规格目前正逐步取代eMMC规格,成为智能型手机嵌入式内存、SD记忆卡的高速接口标准。最新、技术更臻成熟的UFS 2.1规范,其使用更快的串行接口以符合更高的数据传输速率,并支持全双工(Full Duplex)操作的信号接口等高规格技术之外,其带宽已远远超过传统eMMC 5.1。因此UFS 2.1已成为高通(Qualcomm)、海思(HiSilicon)等旗舰智能型手机芯片设计厂目前导入支持的新规格,同时也是各国际手机品牌厂作为次世代旗舰机种储存设计的首选技术。

  群联电子在eMMC市场取得高市占后,随着技术快速升级,领先同业开发出符合UFS 2.1规范、达到双通道的全新闪存控制芯片PS8313。群联电子技术长马中迅指出,「群联电子新推出的PS8313符合UFS 2.1规范,除了强调可支持各旗舰手机芯片厂商的平台,PS8313能透过小型UFS BGA封装技术实现SSD等级的强大性能表现,将助力智能型手机规格再进阶,也充份展现出群联电子全方位的技术实力。」

  群联电子最新闪存控制芯片PS8313,采用28nm制程,且搭配最新3D TLC制程的NAND Flash,实测的序列读写速度已达到与SSD相当的水平,其连续读写速度920/550 MB/s,在随机读写的速度上更是达到67K/62K IOPS的顶级表现,该实测成果亦反映出高于目前主流eMMC近5倍的效能,透过搭载群联电子独创的M-PHY、UniPro、UFS 等物理层硅智财(IP),以及群联电子专为最新3D TLC设计的第四代低功耗LDPC ECC纠错引擎,能支持各国际大厂最新的3D TLC内存,同时无须额外被动组件的设计,便于客户降低设计成本,以及兼具提升闪存的耐用度和可靠性。

  由于PS8313 最大支持8颗内存至256GB的 UFS 总容量,运用先进封装11.5x13 mm迷你封装技术,将可提供客户多种行动内存解决方案,包括UFS记忆卡、嵌入式UFS、搭载LPDDR的uMCP等,而且其高效能、高可靠度、最佳容量的性价比以及高弹性的设计方案更提供各大国际手机厂为新一代旗舰机种进行差异化设计,将可引领智能行动装置的内存效能可达到SATA规格SSD等级,让用户可透过智能行动装置体验到相当于电竞计算机/笔电等级的游戏、高分辨率影片、以及串流影音应用。

关于群联电子

群联电子 (Phison Electronics Corp.) (TPEX:8299) 为全球闪存(NAND Flash)控制芯片及储存解决方案领导厂商。身为闪存专家,从IP技术授权、芯片设计、系统架构解决方案、系统整合、成品,提供不同需求的客户最佳的产品及服务。在各项产品类别上,包括SSD (PCIe/SATA/PATA)、eMMC/UFS、SD、或是USB接口皆可提供完整的储存解决方案,客户应用亦遍及各类消费性电子、企业级、以及工业车用。在标准制定上,群联电子担任SDA、ONFI、UFSA的董事会成员,并积极贡献JEDEC、PCI-SIG、MIPI、NVMe等规范。

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