個人資料量隨著照片、影音、遊戲的儲存需求只增不減，全球儲存消費者正朝向TB世代邁進，而日系及美系兩大國際快閃記憶體製造廠不約而同在今年開始推出QLC快閃記憶體(NAND Flash)高密度記憶體容量的3D NAND Flash以加速TB世代的來臨，有鑑於市場強勁需求，群聯電子宣佈，包括USB、記憶卡、eMMC/UFS、SSD等快閃記憶體控制晶片皆全面支援QLC規格，並正式推出第四代Smart™ECC以發揮QLC之極致效能，讓儲存產品的,記憶容量,讀寫延遲與儲存品質達到完美平衡。
QLC(四階儲存單元)NAND Flash技術具備高密度容量特性，相較於TLC(三階儲存單元)規格的NAND的位元密度約高出3成以上，因此QLC規格產品的推出，將有助於帶動TB (terabyte)等級大容量儲存裝置的普及化。群聯電子累積18年的快閃記憶體控制晶片自主設計開發經驗，與快閃記憶體製造廠共同研發支援高密度記憶體單元的快閃記憶體，包括從SLC、MLC、TLC至今日的QLC規格，具備完整晶片設計之自有技術，其中，控制晶片差異化特性的NAND Flash ECC(Error Correction Code)的糾錯效能，群聯電子持續研發Smart™ECC技術，使用群聯電子控制晶片搭配任何NAND Flash皆可以提升資料保護的效能，為了發揮QLC最大效能，群聯電子也特別推出第四代Smart™ECC。
群聯電子Smart™ECC之資料糾錯保護機制為，當資料被寫入到NAND Flash內部時，控制器同時會產生一組校正碼與資料一起存入，資料從NAND讀回時若發生錯誤，控制晶片會透過校正碼更正資料，若發生的錯誤無法透過ECC校正碼成功更正，這筆資料就會進入Smart™ECC的補救流程, 藉由特別設計的Smart™ECC演算法修正資料, 提昇資料可靠性。
群聯電子全系列產品包含SSD, eMMC/UFS, 記憶卡及USB控制晶片均支援QLC規格NAND Flash，與客戶共同掌握TB世代商機。
