快閃記憶體高峰會 2018
全球快閃記憶體產業年度盛會2018 FMS (2018年Flash Memory Summit；快閃記憶體高峰會) 於美國聖塔克拉拉市正式開展，作為快閃記憶體 (NAND Flash) 控制晶片解決方案領導廠商群聯電子 (TPEX: 8299)將在該次國際盛會上展示多項控制晶片及儲存解決方案，其中符合近期筆電廠擴大SSD滲透率的入門級SSD控制晶片PS5008-E8T、以及為5G旗艦智慧型手機備戰的高階UFS 3.0控制晶片PS8317備受關注。 2018年上半年適逢NAND Flash價格回檔修正期，同時也是各大NAND Flash原廠快速擴大3D NAND Flash市占率的關鍵時機，群聯電子亦掌握機會加速取得多家原廠3D NAND Flash認證，受惠於過去與各大國際原廠多年技術合作經驗，包括在64層、96層的MLC、TLC、QLC等次世代多項規格的3D NAND Flash，群聯電子皆已率先取得測試認證，並適時推出多項符合市場應用的多項SSD控制晶片包括有PS5012-E12/S12、PS5008-E8/E8T; 另有eMMC/UFS控制晶片包括有PS8226、PS8313以及最新的UFS控制晶片PS8317，完整的產品策略，不但為客戶帶來差異化市場機會，也為群聯電子擴大市場版圖增添動能。 UFS次世代UFS 3.0規格技術抵定，群聯電子亦同步推出符合該規格之控制晶片設計PS8317，持續保持在UFS技術上領先地位。群聯電子董事長潘健成表示:「目前智慧型手機/平板仍以eMMC為主流，然而隨著4K甚至8K的影音需求將至，甚至是5G提前在明年開始商用化的進程來看，UFS將像是智慧型行動裝置裡的SSD般將因為更符合使用者對速度的要求而成為5G手機、AI應用、智慧車時代的新主流記憶體規格。群聯電子技術卓然能再度領先同業提前推出最新技術規格的UFS控制晶片PS8317，也將再度助力各大國際智慧行動裝置包括手機及平板的品牌客戶搶先卡位。」 群聯電子快閃記憶體控制晶片PS8317簡述: UFS 3.0、HS-Gear 4、雙通道介面與傳輸 獨有的CoXProcessor 2.0架構承襲 PCIe SSD架構的設計理念，減少系統延遲、提升隨機存取速度至PCIe SSD等級 自行開發M-PHY 4.1 實體層，UniPro 1.8 & UFS 3.0 IP 支持3D NAND、八組NAND顆粒，容量最大達512GB 獨家低功耗第四代SMART ECC技術，強化解碼效能，保障 96層及次世代的3D NAND可靠度 在四顆 3D NAND 同時運作下,連續讀／寫速度達到1800/820 MB/s;隨機讀／寫速度達到100K/160K IOPS* *內部實測數據不含作業系統，搭配手機晶片速度可能因不同平台而異
群聯PS5012系列傳捷報 SSD控制晶片開案量優於預期
全球快閃記憶體（NAND Flash）控制晶片及儲存解決方案領導廠商群聯電子(Phison ; TPEX:8299) 今年度固態硬碟（SSD）控制晶片產品線佈局多元且完整，並順應3D NAND Flash躍為主流、價格觸及甜蜜點等產業趨勢快速拓展應用市場，帶動SSD控制晶片開案量優於預期，包括PS3111-S11、PS5008-E8/E8T各突破35件，而今年度最新推出的頂級規格的PS5012-E12接案量更是快速攀升、超過20件，相關晶片開案量累計近百件，成功擴大SSD市場版圖，為群聯電子營運注入強心針。 群聯電子最新SSD控制晶片PS5012系列產品近期接案頻傳捷報，由於高度迎合市場需求也帶動PS5012系列產品接案量截至本月已超過20件，表現優於預期。群聯電子技術長馬中迅表示，能有此表現是群聯電子多年技術累積之成果，以該晶片規格來看是目前業界同等級PCIe Gen3x4 NVMe SSD控制主控中測試效能最高的頂極產品，在今年第二季領先同業取得PCIe認證後，應市場需求立即推出另一新版本PS5012-E12 DC以符合客戶在雲端儲存、邊緣運算儲存以及區塊鏈高保密性儲存等高階應用需求，因此不但有效為客戶拓展新藍海市場，亦帶動該系列產品接案量表現超乎預期。 群聯電子今年度最新PCIe SSD控制晶片PS5012系列產品採用台積電28奈米製程，並通過國際Flash原廠3D NAND規格對接測試，其主要介面為Gen3x4 NVMe，傳送速率將高達連續讀取3450 MB/s、連續寫入3150 MB/s，4KB隨機讀取(IOPs)速度達60萬次，最大容量可高達8TB，相較於業界同等級晶片高出近1倍之多，堪稱目前業界最頂級規格之控制晶片。基於IOPs高速效能將可為客戶應用產品帶來速度上的極大優勢，協助客戶拓展頂級儲存應用市場，包括有人工智慧（AI）、電競PC/筆電、商務行動SSD，以及中小型企業建置虛擬主機之伺服器等企業級高階儲存，另具備支援Thunderbolt™ 3可攜式外接固態硬碟之設計，亦可助力搭載Windows的主機裝置快速開／關機以及APP應用流暢之效能，全方面高效能表現，展現出群聯電子與客戶攜手為拓展市場版圖之技術成效。 此外，群聯電子控制晶片產品線不僅重視水平式的多樣佈局，並重視客戶產品垂直式的世代發展，因此針對NAND Flash各世代規格包括目前主流的TLC到最新的QLC，皆提供給客戶穩定之高效能自有軟/韌體元件服務，其中自有SmartECC™ (糾錯效能)已針對客戶預作96層以上的QLC之3D NAND產品佈局需求，今年正式推出第四代SmartECC™其LDPC效能將可助力客戶產品發揮QLC之極致效能，讓儲存產品的記憶容量、讀寫延遲與儲存品質達到完美平衡。
TB世代來臨，群聯推第四代Smart™ECC支援3D QLC
個人資料量隨著照片、影音、遊戲的儲存需求只增不減，全球儲存消費者正朝向TB世代邁進，而日系及美系兩大國際快閃記憶體製造廠不約而同在今年開始推出QLC快閃記憶體(NAND Flash)高密度記憶體容量的3D NAND Flash以加速TB世代的來臨，有鑑於市場強勁需求，群聯電子宣佈，包括USB、記憶卡、eMMC/UFS、SSD等快閃記憶體控制晶片皆全面支援QLC規格，並正式推出第四代Smart™ECC以發揮QLC之極致效能，讓儲存產品的,記憶容量,讀寫延遲與儲存品質達到完美平衡。 QLC(四階儲存單元)NAND Flash技術具備高密度容量特性，相較於TLC(三階儲存單元)規格的NAND的位元密度約高出3成以上，因此QLC規格產品的推出，將有助於帶動TB (terabyte)等級大容量儲存裝置的普及化。群聯電子累積18年的快閃記憶體控制晶片自主設計開發經驗，與快閃記憶體製造廠共同研發支援高密度記憶體單元的快閃記憶體，包括從SLC、MLC、TLC至今日的QLC規格，具備完整晶片設計之自有技術，其中，控制晶片差異化特性的NAND Flash ECC(Error Correction Code)的糾錯效能，群聯電子持續研發Smart™ECC技術，使用群聯電子控制晶片搭配任何NAND Flash皆可以提升資料保護的效能，為了發揮QLC最大效能，群聯電子也特別推出第四代Smart™ECC。 群聯電子Smart™ECC之資料糾錯保護機制為，當資料被寫入到NAND Flash內部時，控制器同時會產生一組校正碼與資料一起存入，資料從NAND讀回時若發生錯誤，控制晶片會透過校正碼更正資料，若發生的錯誤無法透過ECC校正碼成功更正，這筆資料就會進入Smart™ECC的補救流程, 藉由特別設計的Smart™ECC演算法修正資料, 提昇資料可靠性。 群聯電子全系列產品包含SSD, eMMC/UFS, 記憶卡及USB控制晶片均支援QLC規格NAND Flash，與客戶共同掌握TB世代商機。
潘健成: FLASH容量只升不減 需求成長力道終勝供給增加
潘健成: FLASH容量只升不減 需求成長力道終勝供給增加 本文轉載自《電子時報》名人講堂專欄: https://www.digitimes.com.tw/tech/dt/itcategory.asp?cnlid=71&cat=140&cat1=90 記者:趙凱期 / 日期:2018-03-26 NAND Flash甫經歷有史以來最長一波的缺貨潮，雖然自2016年至2017年第3季長期處於供不應求缺貨狀況，然而群聯憑藉與日系原廠東芝關係緊密，取得足夠貨源，加計提供長期客戶高品質產品有效擴大市場版圖，群聯首創的一條龍商業模式再次成功推升營運衝高，去年稅後新台幣57.61億元，每股盈餘高達29.23元，改寫全年獲利新猷，董事會同時決議擬配發現金股息17元，亦同步創歷史新高。群聯營運再次成功攻頂，但我們並未因此而停下腳步，現在新晶片研發、以及新市場布局持續積極進行，我們準備挑戰的下一座高峰是在三年內成為快閃記憶體界除了六大原廠(東芝、三星、美光、英特爾、SK海力士、威騰)之外，立處業界一方之霸的獨立晶片廠。 容量規格穩定提升 產業景氣良性循環 依我之見，NAND Flash產業進入2018年，步入供需趨於平衡的健康有序的狀況，長期來看，業內推估每個人所需要儲存容量到2020年時將成長至大約2TB~7TB之多，相較於2000 年的48 MB、2015 年的600 GB，呈現出比等級還高的成長速度，也因此NAND Flash產業將因為人類對記憶體容量的需求只增不減，在未來持續正向成長。 以目前主要消耗NAND Flash的終端應用智慧型手機的eMMC(嵌入式多媒體記憶卡)以及UFS(嵌入式通用快閃記憶卡)來看，在2017年一線國際旗艦機種的規格容量為128GB、而大宗的標準機種規格容量為64GB，至2018年分別提升至256GB、128GB，主流市場的規格容量呈現倍增成長。 再來看PC/NB的固態硬碟(SSD)終端應用的容量規格走勢，在2016年標準規格達256GB，當年需求倍增帶出一波新榮景，但在2017年受到缺貨潮影響成本其維持容量水準，隨著2018年淡季原廠報價修正，預計下半年會開始啟動512GB的機種逐步竄起，並在2019年躍為主流容量規格。 事實上，NAND Flash除了目前可見的主流兩大應用市場容量需求帶動產業持續成長之外，由於科技發展朝向人工智慧應用、車聯網、無人商店等物聯網概念市場逐步成熟而對數據資料量的儲存、讀取需求只增不減、為NAND Flash終端應用長期發展帶來無限商機。 依據國際研調機構IDC預估，2025年全球的資料量將較現今成長近10倍，且隨著物聯網與消費者個人裝置的連結性加深，預期每人每天平均與連網裝置互動的次數將高達4,800次，換算下來，相當於每18秒就有一次連網互動。用記憶體終端的儲存容量換算下來，屆時全球資料總量將擴大到近163 ZB的規模，相當於近160億顆的硬碟。 目前全球NAND Flash業者正有志一同積極發展3D NAND Flash製程，盼能加速固態硬碟得以成功百分之百取代硬碟，也基於未來這波替代商機將為NAND Flash產業帶來長遠的成長機會。 產能擴充減速 需求穩定抬頭 NAND Flash容量需求一再成長，前景無慮，那供給端呢? 產業走過2017年史上最大缺貨潮，進入2018年首季，即回歸產業正常的淡季效應，此時客戶端對價格的接受度反應是「原廠的顆粒報價回落屬正常，依去年原廠大漲3倍、今年讓價格回落3成都不過份」的市場氣氛來看，通路端的庫存去化進尾聲，目前已可感受到需求逐步回溫，因此業內對2018年仍呈現正向樂觀趨勢。國際研調機構IC Insights近期也提出正向看法，並預估今年NAND Flash平均售價(ASP)持續看漲，將帶動NAND Flash市場規模成長約17%，高於先前預的10%。 據瞭解，為更推估出更符合目前技術的合理供給量，近期不少產業分析師紛紛修正對全球NAND Flash原廠擴產產出的計算方式。事實上，我曾一再強調過，要從NAND Flash的產能擴增來預估供給量得用「顆粒(Die)數」來推算，而不是「晶圓(Wafer)數」。依目前全球原廠今、明年所新增的產能來看，是全面進入64層以上堆疊技術的3D NAND Flash製程，並且是由2D製程轉3D製程，而非建立全新的新廠來增加產能。因此，同一座廠一樣的晶圓量、一樣的時間，但是所生產出來的顆粒數是會被打折的，若以慣用產能的單位晶圓數換算下來，原本2D產出10萬片，至3D、64層的製程大約產出6萬片左右，其落差依各原廠技術、設備而有不同。 綜合以上，雖然目前2018年首季NAND Flash產業因淡季較為辛苦，但我仍認為到第3季一定會好，甚至有可能供給緊張，也有可能因為近期某國際大廠停電讓供給吃緊問題提前在第2季底發生。 研發布局仍宜早 創新總是硬道理 在我認為，今年首季的淡季給了群聯一個很好的擴大版圖的機會。群聯的控制晶片在eMMC市場拿下最大市佔，在SSD市場考量獲利率所 長年以來處於伺機而動之位，近期這時機已到。由於NAND Flash價格回落、加計SSD客戶已逐步擴大PCIe規格產品布局，而且英特爾Intel釋出Thunderbolt的IP開放，加速消費性/ PC週邊SSD市場發展，隨著SSD價格甜蜜點將至，因此業內皆看好筆記型電腦SSD搭載率可望在今年突破五成，優於去年三成，另外可攜式SSD這塊新藍海市場亦有機會在今年起飛，這些市場群聯皆已準備對應的SSD控制晶片及成品。 SSD市場出現技術性轉變，也為NAND Flash控制晶片業者新一輪淘汰賽正式鳴槍。就技術面來看，由於3D NAND Flash顆粒所需要搭配的控制晶片，其規格門檻更高，改版更新的速度加快，要投入的研發成本正一再墊高、所需要的技術涵量更強，所以除了目前的全球六大原廠之外，從獨立晶片業者來看，包括銀彈實力不夠的小型業者、仍待時間累積技術的新業者皆面臨挑戰極大的存亡戰，而真正具備資格存活的獨立晶片業者不到3家，其中，群聯正是這少數中的一家。 全球NAND Flash產業層次，一是原廠端，另一是獨立控制晶片與模組端。在原廠的部分，目前全球有六家，三星最大，其次東芝、美光、海力士、威騰與英特爾，其中三星、海力士皆具備自給控制晶片(In house)的能力，而WD 與英特爾除控制晶片也多採自家設計生產，僅剩東芝與美光會採外部廠商提供的控制晶片，排除這些原廠的第三方獨立控制晶片業者，就屬群聯與某台系競爭對手。 […]
COMPUTEX 2018群聯頂極SSD晶片E12新版本亮相
台北國際電腦展 (Computex) 2018於6月5日盛大開幕，全球快閃記憶體（NAND Flash）控制晶片及儲存解決方案領導廠商群聯電子（Phison ; TPEX:8299）將展出多項最新的快閃記憶體控制晶片技術及相關解決方案，其中最受到業界矚目的頂極PCIe規格的SSD控制晶片PS5012-E12(簡稱E12)首度在亞洲國際會展上亮相，由於PS5012-E12是業界同等級PCIe Gen3x4 NVMe SSD控制晶片中測試效能最高的頂極產品，並受到多家國際客戶關注，目前該產品不但進入客戶送樣階段，並預計推出新版本PS5012-E12 DC，以符合客戶在雲端儲存、邊緣運算儲存以及區塊鏈高保密性儲存等高階應用需求。 群聯電子潘健成董事長指出，PS5012-E12 是群聯電子第三代的PCIe Gen3x4 NVMe SSD旗艦控制晶片，整合了本公司最新及最強大的科技，包含了CoXprocessor 2.0、LDPC 3.0、以及DSP (數位信號處理器/Digital Signal Processor)，高效能水準為我們的夥伴客戶們提供了最適合PCIe SSD的電競相關產品，並滿足追求極致高速效能的PC電腦玩家們的儲存需求。群聯電子趁勝追擊，為因應雲端儲存、邊緣運算儲存以及區塊鏈高保密性儲存等高階應用需求持續成長趨勢，將針對PS5012-E12推出新的資料中心版本目前代號為PS5012-E12 DC。預計透過優化PS5012控制晶片靭體，新版本PS5012-E12DC能提供最佳化的耐用度 (endurance)、低等待時間 (low latency)、及穩定可靠的效能 (sustained performance)將可助力客戶發展企業伺服器等高階儲存市場版圖。 在群聯電子研發團隊的共同努力之下，PS5012-E12DC SSD控制晶片在效能上已經接近PCIe Gen3x4的4GB/s 頻寬理論值，不僅效能遠勝於市面上所有同等級產品 (連續讀寫達到 3400 MB/s及3000 MB/s, 隨機讀寫達到 600K IOPS)，最高容量更達到了8TB，且提供了M.2, U.2, 及AIC等不同的外觀尺寸，將可完美符合目前最火紅的電競及高階PC/NB市場的解決方案。由群聯電子創新開發的CoXprocessor 2.0技術不僅讓PS5012-E12 SSD控制晶片的連續寫入效能達到了領先業界的超高速境界，而600K IOPS的4K隨機讀寫效能更是在消費型SSD控制晶片市場前所未見的高標水準。 PS5012-E12控制晶片採用先進的28奈米製程，且配置了專為最新的3D TLC快閃記憶體技術的高整合、低功耗的第三代LDPC除錯引擎 (LDPC 3.0 ECC Engine)，此ECC除錯引擎技術還能支援下一代的快閃記憶體技術3D QLC，是群聯電子目前最新的ECC技術。而最高容量能達到8TB (32 CE/Chip Enable) 的PS5012-E12，更是一顆能滿足目前大數據應用的高階旗艦產品。 在2018年台北國際電腦展會期間，群聯電子也將展出全系列最新的快閃記憶體控制晶片技術及相關解決方案，包含了目前最高階的PS5012-E12DC […]
CFMS 2018中國快閃記憶體市場峰會：群聯電子潘健成董事長演講
Youtube: https://www.youtube.com/watch?v=FWXAd5UWPLY&t=4s 優酷: https://v.youku.com/v_show/id_XMzgzODU0NDc0MA==.html?spm=a2hzp.8253869.0.0
交大電機․群聯電子․新竹馬偕 飲水思源 感謝恩師 記者會
新聞來源: 國立交通大學電機工程學系新聞稿 交大電機今年的教師節特別暖心！ 今天適逢教師節，交大電機今年獲群聯電子董事長暨交大電機系友會會長潘健成捐贈新竹馬偕醫院的高端健康檢查套組給交大電機全體教職員，希望為高科技杏壇盡一份心力，共同守護母系教職員的健康。 圖說:(右起)交大電機系邱俊誠副教授、群聯電子歐陽志光總經理、新竹馬偕醫院翁順隆副院長、交通大學校長張懋中、交大電機學院唐震寰院長、交大電機陳科宏系主任。 交大校長張懋中表示，非常感謝多位校友們長年以來對交大的支持，而潘健成董事長則是他最感謝的人之一。每回交大需要校友的幫助時，潘董事長總是二話不說，跳出來幫忙。長年以來，交大校園內不論是軟、硬體、實驗室，甚至辦活動等等，都是潘董事長對母校回饋的心意。而今年潘董事長為提升電機母系的福利，特別與新竹馬偕醫院共同攜手為全體教職員的健康把關，希望讓長期處在學術研究高壓力下的教職員們，趁此次健檢的機會來喚醒健康的重要性，日後為台灣培育更多高端科技人才。 交大電機系主任陳科宏表示，潘健成董事長是一位很特別的系友、學長及朋友。潘董事長亦為現任交大電機系友會會長，在擔任會長期間，潘董事長得知系上的獎學金等經費短缺，立即登高一呼，號召多位科技大老齊心協力幫助母系。同時也看到了系上師生們的需求，在「鼓勵大學部學弟妹儘早走進實驗室」的初衷下，因而傾囊相助設立了「交大電機、群聯電子AI機器人共同實驗室」，在開設一學期的課程後，獲得系上師生高度的認同與肯定，心中滿是感謝。在今年六月份，交大電機十多名學生代表們與潘董事長進行一場經驗交流分享會。會中，學生們呈現自行研發的光球結合無線遠端操控程式的舞蹈表演，而潘董事長也當場與學弟妹分享電路控制的研發經驗及創業的過程，並勉勵多累積各項競賽的實戰經驗。 潘董事長今日因公務於海外公出未能親自到場感謝師恩，但仍透過同為交大畢業的群聯電子創辦人之一暨總經理歐陽志光代表出席轉達其心意。歐陽志光表示，「群聯電子創辦團隊緣起於交通大學實驗室，現在公司千名研發人員中多數也來自於交大，感念母校對科技人才的培育既紮實且多元，讓群聯能有一流的科技人才助力企業持續朝向國際化發展。群聯創辦團隊至今仍恪守交大校訓『飲水思源』，因此這次藉助新竹馬偕醫院提供一流健檢服務給母系的老師們，盼他們健康快樂持續為科技育才增添活力與熱忱。」 新竹馬偕紀念醫院副院長翁順隆指出，群聯電子多年來對於公益活動愛心不遺餘力，自2004年起，更是以行動支持關懷在地醫療，與新竹馬偕醫院合作多年一同為醫療盡心力，包含五峰鄉原住民關懷基金、醫療設備儀器、藥師就業計畫獎學金等捐贈，讓新竹馬偕具有更完整的資源與設備，以提供竹苗地區民眾更全面的醫療服務。此次，新竹馬偕非常榮幸獲得群聯電子的信賴，成為活動唯一指定醫療機構，共同為辛勞的教職員們健康把關。新竹馬偕健康管理中心成立於92年，為提供客戶更舒適、精密及尖端的高品質服務，期間除了整修擴增打造全新空間外，更陸續充實軟硬體與增設各項全新、精密、先進的檢查設備，並集結各科專業的醫師團隊，提供有別於一般健檢診所只能提供健檢而無法安排完整後續治療之服務，給予客戶完整的健康管理照護。針對交通大學電機系教職員健檢規劃，除了血液、心電圖、腹部超音波等檢查項目外，特別評估目前癌症趨勢、受檢者工作用眼過度及壓力等，安排頸部超音波、低輻射劑量肺部電腦斷層腫瘤篩檢、眼科精密檢查，讓健檢更符合個別性，讓受檢者在健康檢查結束後，都能擁有正確的健康觀念，將預防醫學的保健觀念落實於日常生活中，以達到群聯電子潘健成董事長回饋師長的初衷。 交大電機系為交大第一志願。50多年的深耕，在台灣電機資訊產業發展史上功不可沒。21世紀的產業趨勢下，系上早已將傳統技術與新世代科技雙重結合，設計電機與資訊雙專業的十大領域學程，以期達到培育全方位電機資訊專業人才之教育目標，強化電機產業之競爭實力。
影音儲存大商機 群聯攻專業攝錄市場 推出最新CF記憶卡P10晶片
全球快閃記憶體（NAND Flash）控制晶片及儲存解決方案領導廠商群聯電子（Phison ; TPEX:8299）今（11）日正式發表通過最新VPG 65規範、可支援 4K超高解析度錄影1066X之CF記憶卡解決方案，內載群聯電子控制晶片PS3016-P10、搭載最新64層3D TLC NAND技術快閃記憶體，存取速度高達讀取160MB/s、寫入150MB/s，適用於專業4K超高解析度單眼相機等攝錄影設備使用。 近年來，除了智慧城市、無人商店的興起，加計智慧車、無人車發展帶動了行車紀錄器等安控、車載應用，以及對於要求高穩定性及可靠度的專業攝錄影市場，帶動記憶卡朝向更高階之解決方案發展。值得一提，今年以來，各國際數位相機大廠著眼於電影的影集、MV短片專業攝影工作者多朝向多媒體影音製作發展，因此高階的單眼相機幾乎多了一項錄影拍攝功能。 有鑑於具備錄影功能的高階單眼相機，正朝向4K、甚至8K等超高解析度的影音錄製規格發展，而4K較過去Full HD的規格多出四倍的解析度格式，因為每秒寫入的資料量亦倍增，對記憶卡的讀寫入速度要求也提高，因此群聯電子推出最新PS3016-P10記憶卡解決方案，並符合CF協會最新VPG-65規範，可達到256GB最高之儲存容量，不但能儲存更多高畫質的照片以及影片，且使用了UDMA 7，相較前一代產品之連續讀和寫的速度大幅提升一倍，將可滿足高階單眼4K錄影之速度需求。 VPG規範說明: VPG是CF協會 (CompactFlash Association) 制定的錄影速度保證規範，主要是為了高解析度錄影而訂定的最低寫入速度要求。當應用程序在持續寫入資料時，可確保寫入速度不會低於此保證速度，讓用戶在錄製高解析度的影片時，不用擔心錄影時發生中斷的憾事。Profile 1 版本最低寫入速度要求為 20MB/s，以VPG 20標示，因應4K超高解析度錄影的應用，Profile 2 版本將最低寫入速度大幅提升至65MB/s，以防止4K錄影中斷所帶來的影片品質下降的困擾，在CF卡上會標示VPG 65。 群聯電子PS3016-P10 CF解決方案簡述: 容量: 16GB~256GB 連續讀／寫速度: 160/150 MB/s 介面: PCMCIA / IDE 規範:CF6.0 (UDMA 7): 版本: VPG 20和VPG 65
2018群聯公益運動會 嘉惠竹苗10家慈善機構
群聯電子今年10月20日於竹南運動公園舉行十八週年家庭日暨慈善公益「群愛路跑」運動會，由群聯電子潘健成董事長、歐陽志光總經理親自率領員工團隊完成千人路跑、百人大隊接力、以及愛心義賣募款等活動，為竹苗地區之文教、弱勢兒童等10家慈善機構籌募6百萬元之公益善款。 圖說/ 群聯電子潘健成董事長清早率領千人為2018年「群愛起跑」家庭日暨慈善路跑運動會揭開序幕。 群聯電子歷屆慈善公益運動會皆由潘健成董事長親自領隊以路跑活動作為開場，隨著企業成長，跟著潘董事長的跑者人數年年創新高，有別以往，今年千人路跑活動除了前有群聯鐵漢們計時搶秒奪名次之外，在隊伍後頭還有帶著一家老小家眷的群聯員工們在路跑的路段協助撿拾垃圾進行環保工作，為結合家庭日的慈善路跑活動再盡一份環保愛地球之社會責任。 圖說/群聯百名員工熱情參與大隊接力賽，由歐陽志光總經理頒發冠軍獎座 群聯電子持續擴大全球版圖，並積極召募年輕新血，在2017、2018連續兩年榮獲台灣上櫃高薪企業之名，成為年輕人搶搭新富列車的幸福企業指標，而今年群聯電子家庭日尚未成家的年輕員工們雖未能大手牽小手同樂，但也熱情參與，藉由組隊參賽大隊接力、盡情揮灑熱血，為群聯電子兩年一次的慈善運動會增添新活力。 群聯電子2018年「群愛路跑」慈善公益活動當日午間圓滿落幕，最終募得6百萬元之公益善款將均分予竹苗地區包括有，苗栗縣私立新苗發展中心、苗栗縣私立聖家啟智中心、苗栗縣私立幼安教養院、新竹市心路社會福利基金會、新竹家扶中心、財團法人伊甸社會福利基金會-新竹市啟能生活照顧中心、苗栗兒童福利聯盟文教基金會、苗栗縣華山基金會、失親兒福利基金會、肝病防治學術基金會&財團法人全民健康基金會…等10家慈善機構。 圖說/「2018群愛路跑」之群聯電子慈善運動會為竹苗地區10家慈善機構籌募百萬元公益善款。
