快閃記憶體（NAND Flash）解決方案領導廠商群聯電子(8299)今(30)日榮獲台灣資訊儲存技術協會(Taiwan Information Storage Association，TISA)所頒發之2018年「第15屆台灣資訊儲存技術獎項之產業貢獻獎」。
第15屆「台灣資訊儲存技術協會年會暨資儲存獎項頒獎典禮」今日於台北召開，TISA蔡定平理事長表示，群聯電子於儲存產業一再展現其卓越的資訊儲存半導體晶片設計技術研發實績，包括有全球首家將USB隨身碟商品化的快閃記憶體控制晶片廠;並成功開發可用於擴充手持裝置之內建快閃記憶體容量之高隨機讀寫效能的 SD/microSD 卡、嵌入式eMCP/eMMC/UFS以及SSD等應用產品、開發快閃記憶體管理核心電路模組，簡化韌體作業流程，增加資料傳輸效率，減少功耗…等技術發明，並成功開發新一代LDPC+DSP錯誤更正模組，以達到可支援各國際大廠的3D NAND製程之控制晶片及解決方案。而今群聯電子累積的NAND Flash 管理技術 Know-How 提供相關技術專利已取得各國專利權核准數達 1,415件，基於此技術基礎，群聯電子得以一直維持市場領導者的地位，因此今年度特頒予「第15屆台灣資訊儲存技術獎項之產業貢獻獎」。
群聯電子潘健成董事長表示，公司成立18年來持續深耕於快閃記憶體控制晶片暨解決方案的技術研發，長年累積自有矽智財(IP)及演算法研發實力除了在產業內取得客戶的認同之外，在此也很感謝以支持儲存產業前瞻技術研發為首的TISA予以肯定。於此同時亦恭祝母校(交通大學)終身講座教授施敏教授榮獲「第15屆台灣資訊儲存技術獎項之傑出資訊儲存獎」。施教授是快閃記憶關鍵技術「浮閘記憶體效應」的發現人，群聯電子是將快閃記憶體技術商品化的企業，很榮幸我們可以共同以快閃記憶體的科技技術滿足人類生活對海量資訊儲存的需求，進而在一次次的創新研發中讓科技可以為文明社會帶來新的應用及便利。
展望未來，隨著半導體製程技術迅速演進，快閃記憶體技術難度越來越高，所需要的資料糾錯(Error Correction)位元也越多，與控制晶片業者的配合度要更緊密，群聯電子所提供控制晶片的重要技術包括有平均抹寫技術 (Wear Leveling) 與壞損區塊管理 (Bad Block Management)等將可有效延長 NAND Flash 使用壽命，此外，目前已成功開發先進製程 PCIe G3x4 及 MIPI PHY 以作為UFS Unipro 快閃記憶體控制晶片之主機介面，也將能提供更高效能、更節能之NAND Flash控制晶片，以具備提供相關專利授權。
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