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群联SD 5.1 A1之控制芯片 PS8131导入BiCS3技术

群联新推出SD 5.1 A1之MaxIOPS系列控制芯片 PS8131

  全球NAND Flash控制芯片领导厂商群联电子今(24)日于2017年SD协会全球技术研讨会上介绍新推出的可搭载东芝64层垂直储存的 3D NAND ( BiCS3)的技术SD 5.1 A1规范兼容之MaxIOPS系列记忆卡控制芯片PS8131,相较于前一代2D NAND版本的产品,其效能速度快上2倍。

  群联电子深耕SD控制芯片技术,随着5G、4K8K等高阶规格数字串流时代来临,正积极地抢攻各种高阶智慧手机、平板计算机等智能行动装置之闪存市场,并提供稳定且可靠的扩充型记忆卡解决方案,今年度,随即推出符合SD最新规范芯片PS8131,该芯片不仅具备群联电子自主开发技术,更搭配了最新制程3D TLC的 NAND Flash,将为市场提供一个高速且符合经济效益的完整解决方案。

  在效能表现上,PS8131延续前一代的MaxIOPS系列技术,为具备SD 5.1 A1规范的NAND Flash高阶控制芯片,能提供高于前一代产品2倍的随机写入速度 (从 500 IOPS 提升至 1300 IOPS),并强化了控制芯片的硬件及韧体架构,而且不仅能兼容于目前的Android Marshmallow操作系统,更能流畅支持最新的Nougat操作系统,与智能行动装置的内存透过嵌入式扩展储存功能 (Adoptable storage function) 完美的整合运作,让终端使用者能有更高的内存储存容量可以使用,提升用户经验。

  在技术发展上,PS8131支持群联电子自主开发的最新科技StrongECCTM纠错技术,因此不但具备精简及低功耗的设计特性,更能增加3D NAND Flash的可靠度,且预计于今年上半年开始出货搭载具备东芝(Toshiba)64层垂直储存的 3D NAND ( BiCS3)的高容量储存解决方案,而PS8131容量支持将从32G至256GB皆可达到优化表现。

  另方面,PS8131符合目前最新的SD 5.1 A1 规范 (Application Performance Class),具备超高性能,表现在Read/Write IOPS, PS8131 MaxIOPS+ 轻松达到2000/1300, 远高于SD 5.1 A1 规范的1500/500,不但能为Android 7.0 / 6.0装置的用户提供即刻扩充内部存储器储存容量的便利性,更能完美的与行动装置内存整合运作,将行动装置用户体验提升到全新水平,以满足日益增加的高容量移动储存需求的智能型手机、平板计算机等新一代行动装置扩展内存储存的需求。

  今年的SD协会全球技术研讨会, 在SD协会主持下,百佳泰、东芝、群联等也热情参与协办和支持并分享最新记忆卡技术, 共同推广SD协会的最新规范,为新一代的高阶行动及摄像装置做准备。

关于群联电子

群联电子 (Phison Electronics Corp.) (TPEX:8299) 为全球闪存(NAND Flash)控制芯片及储存解决方案领导厂商。身为闪存专家,从IP技术授权、芯片设计、系统架构解决方案、系统整合、成品,提供不同需求的客户最佳的产品及服务。在各项产品类别上,包括SSD (PCIe/SATA/PATA)、eMMC/UFS、SD、或是USB接口皆可提供完整的储存解决方案,客户应用亦遍及各类消费性电子、企业级、以及工业车用。在标准制定上,群联电子担任SDA、ONFI、UFSA的董事会成员,并积极贡献JEDEC、PCI-SIG、MIPI、NVMe、IEEE-SA等规范。

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