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全球快閃記憶體（NAND Flash）控制晶片及儲存解決方案領導廠商群聯電子（Phison ; TPEX:8299）潘健成董事長今(19)日受邀於CFMS 2018 (中國閃存市場峰會)進行演說，潘健成表示:「NAND Flash控制晶片進入非常昂貴的1x奈米等級的晶圓製造階段、加計3D NAND驗證成本高於2D，種種IC開發現況看地出來，除了墊高IC設計後來者的進入門檻，若單單只做IC設計的生意其獲利是大不如從前，然而，這現況卻能凸顯群聯電子的優勢。
群聯電子過去18年來透過策略合作方式實現了IC設計一條龍的成功商業模式，未來，將更加積極接納全球各種策略性夥伴，期能攜手夥伴們在5G、物聯網、車聯網、以及人工智慧等多項創新科技共同搶攻海量資訊的儲存商機。
全球快閃記憶體產業界一年一度在大陸的盛大高峰會於今(19)日在深圳正式展開，包括美光、英特爾、長江存儲、紫光存儲、西部數據、三星等各大國際快閃記憶體原廠皆參與該盛會，並同台為快閃記憶體前瞻性之技術發表看法及現況，今年現場參與之產業人士逾1,500人，創下人次新高。群聯電子作為快閃記憶體獨特一條龍商業模式的成功典範，創辦人暨董事長潘健成在大會力邀下，今年首度出席，並以「內存-閃存-存儲 前世、今生、展望」為題向產業內人士進行演說，闡述其投身記憶體產業近18年來的產業觀察。
潘健成演說時表示，「NAND Flash正式進入3D製程發展，其相關控制晶片之晶圓製造製程則在近兩年正式進入1x奈米時代，因此NAND Flash控制晶片的設計愈加複雜、所需要運用的人力及銀彈等資源耗費較市場成長的幅度來地高，以目前全球PCIe規格效能跑分評鑑最佳的群聯電子SSD控制晶片PS5012-E12來看，該顆晶片的成功除了累積數十年的功力外，在研發人力、時間、設計工具、晶圓先進製程光罩費、3D NAND驗證費…等等資源全數換算為可被評價的費用，總計超過1.55億人民幣(約當新台幣6.6億元)，相較18年前群聯電子初創業時的環境所需投入成本的多了好幾倍。
當今快閃記憶體的現況，對控制晶片設計業者而言，除了上述的軍備戰的競爭形成技術進入障礙，另方面，NAND Flash製造之國際原廠相繼提高自給設計的控制晶片案量，因此整體市場獨立晶片廠的控制晶片的市場規模的成長幅度是低於儲存容量需求的成長率，所以，控制晶片取得的獲利也變薄、這對剛剛要跨入快閃記憶體IC設計這一行業者而言是進入門檻被墊高，簡而言之，如今若只賣IC，這生意不好做要賺錢變得更困難。
對於群聯電子而言，有鑑於5G、物聯網、車聯網、以及人工智慧等多項創新科技的資訊儲存需求只增不減，人類使用記憶體容量的提升仍會為產業帶來商機，加計群聯電子過去以來的商業模式不是只賣IC，因此未來將擅用這多年來的產業經驗值、逾1,700件的自有IP專利、逾千名的研發人員、專注經營快閃記憶體應用所掌握的市場彈性、一年逾13億美元的營收、以及年平均出貨6億顆IC等規模經濟之6大實力，並加以積極尋找長期合作的策略性夥伴，共同擴大發展快閃記憶體應用市場之夥伴們擴大市場及技術發展。」
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搭載64層3D QLC NAND Flash控制晶片S11T正式出貨
全球快閃記憶體（NAND Flash）控制晶片及儲存解決方案領導廠商群聯電子(Phison ; TPEX:8299) 正式宣佈，搭載美系國際原廠最新QLC規格64層3D NAND Flash 之的SSD控制晶片PS3111-S11T於本月正式出貨。群聯電子董事長潘健成表示，「QLC規格的單顆Flash晶粒儲存空間較上一代TLC規格多出1倍，容量升級、價格親民，這象徵著SSD(固態硬碟)正式迎接低價大容量的時代！」
潘健成進一步指出，各國際快閃記憶體(NAND Flash)製造原廠陸續突破3D堆疊技術良率瓶頸後，技術演進正快速發展，次世代規格QLC的3D NAND Flash顆粒如今較預期提前一個季度於近期推出，該技術進程速度令業界專家都跌破眼鏡，亦為SSD擴大滲透率帶來新動能。由於群聯電子領先同業在今年上半年正式取得搭載QLC的一系列主控晶片測試驗證、以及推出最新版之糾錯保護機制，而今水到渠成，因應客戶需求甫於近日出貨搭載64層QLC之SSD控制晶片PS3111-S11T解決方案。
最新64層QLC之3D NAND Flash單顆容量即可達128GB，搭載群聯電子PS3111-S11T解決方案應用於SSD上的容量從258GB起跳，並搭配群聯電子自有第四代Smart ECCTM糾錯機制套件，讓大容量的QLC優勢亦能兼具速度效能，不論是連續讀取或是寫入之效能皆能維持在550 MB/s、450~510MB/s的高速水準，至於隨機讀取/寫入(IOPS)速度亦可維持在33萬~61萬次，以及85萬~88萬次高效能，終端應用也將因為產品屬性符合低價大容量，將適合通路客戶拓展互聯網服務業、中小型企業等更多元創新的應用市場布局。
最新搭載64層QLC之SSD控制晶片PS3111-S11T規格效能表:
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全球快閃記憶體（NAND Flash）控制晶片及儲存解決方案領導廠商群聯電子(Phison ; TPEX:8299) 今年度固態硬碟（SSD）控制晶片產品線佈局多元且完整，並順應3D NAND Flash躍為主流、價格觸及甜蜜點等產業趨勢快速拓展應用市場，帶動SSD控制晶片開案量優於預期，包括PS3111-S11、PS5008-E8/E8T各突破35件，而今年度最新推出的頂級規格的PS5012-E12接案量更是快速攀升、超過20件，相關晶片開案量累計近百件，成功擴大SSD市場版圖，為群聯電子營運注入強心針。
群聯電子最新SSD控制晶片PS5012系列產品近期接案頻傳捷報，由於高度迎合市場需求也帶動PS5012系列產品接案量截至本月已超過20件，表現優於預期。群聯電子技術長馬中迅表示，能有此表現是群聯電子多年技術累積之成果，以該晶片規格來看是目前業界同等級PCIe Gen3x4 NVMe SSD控制主控中測試效能最高的頂極產品，在今年第二季領先同業取得PCIe認證後，應市場需求立即推出另一新版本PS5012-E12 DC以符合客戶在雲端儲存、邊緣運算儲存以及區塊鏈高保密性儲存等高階應用需求，因此不但有效為客戶拓展新藍海市場，亦帶動該系列產品接案量表現超乎預期。
群聯電子今年度最新PCIe SSD控制晶片PS5012系列產品採用台積電28奈米製程，並通過國際Flash原廠3D NAND規格對接測試，其主要介面為Gen3x4 NVMe，傳送速率將高達連續讀取3450 MB/s、連續寫入3150 MB/s，4KB隨機讀取(IOPs)速度達60萬次，最大容量可高達8TB，相較於業界同等級晶片高出近1倍之多，堪稱目前業界最頂級規格之控制晶片。基於IOPs高速效能將可為客戶應用產品帶來速度上的極大優勢，協助客戶拓展頂級儲存應用市場，包括有人工智慧（AI）、電競PC/筆電、商務行動SSD，以及中小型企業建置虛擬主機之伺服器等企業級高階儲存，另具備支援Thunderbolt™ 3可攜式外接固態硬碟之設計，亦可助力搭載Windows的主機裝置快速開／關機以及APP應用流暢之效能，全方面高效能表現，展現出群聯電子與客戶攜手為拓展市場版圖之技術成效。
此外，群聯電子控制晶片產品線不僅重視水平式的多樣佈局，並重視客戶產品垂直式的世代發展，因此針對NAND Flash各世代規格包括目前主流的TLC到最新的QLC，皆提供給客戶穩定之高效能自有軟/韌體元件服務，其中自有SmartECC™ (糾錯效能)已針對客戶預作96層以上的QLC之3D NAND產品佈局需求，今年正式推出第四代SmartECC™其LDPC效能將可助力客戶產品發揮QLC之極致效能，讓儲存產品的記憶容量、讀寫延遲與儲存品質達到完美平衡。
關於群聯電子
群聯電子 (Phison Electronics Corp.) (TPEX:8299) 為全球快閃記憶體（NAND Flash）控制晶片及儲存解決方案領導廠商。身為快閃記憶體專家，從IP技術授權、晶片設計、系統架構解決方案、系統整合、成品，提供不同需求的客戶最佳的產品及服務。在各項產品類別上，包括SSD (PCIe/SATA/PATA)、eMMC／UFS、SD、或是USB介面皆可提供完整的儲存解決方案，客戶應用亦遍及各類消費性電子、企業級、以及工業車用。在標準制定上，群聯電子擔任SDA、ONFI、UFSA的董事會成員，並積極貢獻JEDEC、PCI-SIG、MIPI、NVMe、IEEE-SA等規範。