全球闪存（NAND Flash）控制芯片及储存解决方案领导厂商群联电子（Phison ; TPEX:8299）潘健成董事长今(19)日受邀于CFMS 2018 (中国闪存市场峰会)进行演说，潘健成表示:「NAND Flash控制芯片进入非常昂贵的1x奈米等级的晶圆制造阶段、加计3D NAND验证成本高于2D，种种IC开发现况看地出来，除了垫高IC设计后来者的进入门坎，若单单只做IC设计的生意其获利是大不如从前，然而，这现况却能凸显群联电子的优势。
群联电子过去18年来透过策略合作方式实现了IC设计一条龙的成功商业模式，未来，将更加积极接纳全球各种策略性伙伴，期能携手伙伴们在5G、物联网、车联网、以及人工智能等多项创新科技共同抢攻海量信息的储存商机。
全球闪存产业界一年一度在大陆的盛大高峰会于今(19)日在深圳正式展开，包括美光、英特尔、长江存储、紫光存储、西部数据、三星等各大国际闪存原厂皆参与该盛会，并同台为闪存前瞻性之技术发表看法及现况，今年现场参与之产业人士逾1,500人，创下人次新高。群联电子作为闪存独特一条龙商业模式的成功典范，创办人暨董事长潘健成在大会力邀下，今年首度出席，并以「内存-闪存-存储 前世、今生、展望」为题向产业内人士进行演说，阐述其投身内存产业近18年来的产业观察。
潘健成演说时表示，「NAND Flash正式进入3D制程发展，其相关控制芯片之晶圆制造制程则在近两年正式进入1x奈米时代，因此NAND Flash控制芯片的设计愈加复杂、所需要运用的人力及银弹等资源耗费较市场成长的幅度来地高，以目前全球PCIe规格效能跑分评鉴最佳的群联电子SSD控制芯片PS5012-E12来看，该颗芯片的成功除了累积数十年的功力外，在研发人力、时间、设计工具、晶圆先进制程光罩费、3D NAND验证费…等等资源全数换算为可被评价的费用，总计超过1.55亿人民币，相较18年前群联电子初创业时的环境所需投入成本的多了好几倍。
当今闪存的现况，对控制芯片设计业者而言，除了上述的军备战的竞争形成技术进入障碍，另方面，NAND Flash制造之国际原厂相继提高自给设计的控制芯片案量，因此整体市场独立芯片厂的控制芯片的市场规模的成长幅度是低于储存容量需求的成长率，所以，控制芯片取得的获利也变薄、这对刚刚要跨入闪存IC设计这一行业者而言是进入门坎被垫高，简而言之，如今若只卖IC，这生意不好做要赚钱变得更困难。
对于群联电子而言，有鉴于5G、物联网、车联网、以及人工智能等多项创新科技的信息储存需求只增不减，人类使用内存容量的提升仍会为产业带来商机，加计群联电子过去以来的商业模式不是只卖IC，因此未来将擅用这多年来的产业经验值、逾1,700件的自有IP专利、逾千名的研发人员、专注经营闪存应用所掌握的市场弹性、一年逾13亿美元的营收、以及年平均出货6亿颗IC等规模经济之6大实力，并加以积极寻找长期合作的策略性伙伴，共同扩大发展闪存应用市场之伙伴们扩大市场及技术发展。」
搭载64层3D QLC NAND Flash主控芯片S11T正式出货
全球闪存（NAND Flash）主控芯片及储存解决方案领导厂商群联电子(Phison ; TPEX:8299) 搭载美系国际原厂最新QLC规格64层3D NAND Flash 之的SSD主控芯片PS3111-S11T解决方案于本月正式出货。群联电子董事长潘健成表示，「QLC规格的单颗Flash晶粒储存空间较上一代TLC规格多出1倍，容量升级、价格亲民，这象征着SSD(固态硬盘)正式迎接低价大容量的时代！」
潘健成进一步指出，各国际闪存(NAND Flash)制造原厂陆续突破3D堆栈技术良率瓶颈后，技术演进正快速发展，次世代规格QLC的3D NAND Flash颗粒如今较预期提前一个季度于近期推出，该技术进程速度令业界专家都跌破眼镜，亦为SSD扩大渗透率带来新动能。由于群联电子领先同业在今年上半年正式取得搭载QLC的一系列主控芯片测试验证、以及推出最新版之纠错保护机制，而今水到渠成，因应客户需求甫于本月出货搭载64层QLC之SSD主控芯片PS3111-S11T解决方案。
最新64层QLC之3D NAND Flash单颗容量即可达128GB，搭载群联电子PS3111-S11T解决方案应用于SSD上的容量从258GB起跳，并搭配群联电子自有第四代SmartECC™纠错机制套件，让大容量的QLC优势亦能兼具速度效能，不论是连续读取或是写入之效能皆能维持在550 MB/s、450~510MB/s的高速水平，至于随机读取/写入(IOPS)速度亦可维持在33万~61万次，以及85万~88万次之高效能水平，终端应用也将因为产品属性符合低价大容量，将适合通路客户拓展互联网服务业、中小型企业等更多元创新的应用市场布局。
最新搭载64层QLC之SSD主控芯片PS3111-S11T规格效能表:
全球闪存（NAND Flash）控制芯片及储存解决方案领导厂商群联电子(Phison ; TPEX:8299) 今年度固态硬盘（SSD）控制芯片产品线布局多元且完整，并顺应3D NAND Flash跃为主流、价格触及甜蜜点等产业趋势快速拓展应用市场，带动SSD控制芯片开案量优于预期，包括PS3111-S11、PS5008-E8/E8T各突破35件，而今年度最新推出的顶级规格的PS5012-E12接案量更是快速攀升、超过20件，相关芯片开案量累计近百件，成功扩大SSD市场版图，为群联电子营运注入强心针。
群联电子最新SSD控制芯片PS5012系列产品近期接案频传捷报，由于高度迎合市场需求也带动PS5012系列产品接案量截至本月已超过20件，表现优于预期。群联电子技术长马中迅表示，能有此表现是群联电子多年技术累积之成果，以该芯片规格来看是目前业界同等级PCIe Gen3x4 NVMe SSD控制主控中测试效能最高的顶极产品，在今年第二季领先同业取得PCIe认证后，应市场需求立即推出另一新版本PS5012-E12 DC以符合客户在云端储存、边缘运算储存以及区块链高保密性储存等高阶应用需求，因此不但有效为客户拓展新蓝海市场，亦带动该系列产品接案量表现超乎预期。
群联电子今年度最新PCIe SSD控制芯片PS5012系列产品采用台积电28奈米制程，并通过国际Flash原厂3D NAND规格对接测试，其主要接口为Gen3x4 NVMe，传输速度将高达连续读取3450 MB/s、连续写入3150 MB/s，4KB随机读取(IOPs)速度达60万次，最大容量可高达8TB，相较于业界同等级芯片高出近1倍之多，堪称目前业界最顶级规格之控制芯片。基于IOPs高速效能将可为客户应用产品带来速度上的极大优势，协助客户拓展顶级储存应用市场，包括有人工智能（AI）、电竞PC/笔电、商务行动SSD，以及中小型企业建置虚拟主机之服务器等企业级高阶储存，另具备支持Thunderbolt™ 3可携式外接固态硬盘之设计，亦可助力搭载Windows的主机装置快速开／关机以及APP应用流畅之效能，全方面高效能表现，展现出群联电子与客户携手为拓展市场版图之技术成效。
此外，群联电子控制芯片产品线不仅重视水平式的多样布局，并重视客户产品垂直式的世代发展，因此针对NAND Flash各世代规格包括目前主流的TLC到最新的QLC，皆提供给客户稳定之高效能自有软/韧体组件服务，其中自有SmartECC™ (纠错效能)已针对客户预作96层以上的QLC之3D NAND产品布局需求，今年正式推出第四代SmartECC™其LDPC效能将可助力客户产品发挥QLC之极致效能，让储存产品的记忆容量、读写延迟与储存质量达到完美平衡。
个人资料量随着照片、影音、游戏的存储需求只增不减，全球存储消费者正朝向TB世代迈进，而日系及美系两大国际闪存制造厂不约而同在今年开始推出QLC闪存(NAND Flash)高密度内存容量的3D NAND Flash以加速TB世代的来临，有鉴于市场强劲需求，群联电子宣布，包括USB、存储卡、eMMC/UFS、SSD等闪存主控皆全面支持QLC规格，并正式推出第四代Smart™ECC以发挥QLC之极致效能，让存储产品的记忆容量、读写延迟与存储质量达到完美平衡。
QLC(四阶存储单元)NAND Flash技术具备高密度容量特性，相较于TLC(三阶存储单元)规格的NAND的位元密度约高出3成以上，因此QLC规格产品的推出，将有助于带动TB (terabyte)等级大容量存储装置的普及化。群联电子累积18年的闪存主控自主设计开发经验，与闪存制造厂共同研发支持高密度内存单元的闪存，包括从SLC、MLC、TLC至今日的QLC规格，具备完整芯片设计之自有技术，包括闪存主控差异化特性的NAND Flash ECC(Error Correction Code)的纠错效能推出Smart™ECC技术，使用群联电子闪存主控搭配任何NAND Flash皆可以提升数据保护的效能，为了发挥QLC最大效能，群联电子也特别推出第四代的Smart™ECC。
群联电子Smart™ECC之数据纠错保护机制为，当数据被写入到NAND Flash内部时，控制器同时会产生一组校正码与数据一起存入，数据从NAND读回时若发生错误，闪存主控会透过校正码更正数据，若发生的错误无法透过ECC校正码成功更正，这笔数据就会进入Smart™ECC的补救流程, 藉由特别设计的Smart™ECC算法修正数据, 提升数据可靠性。
台北国际计算机展 (Computex) 2018于6月5日盛大开幕，全球闪存（NAND Flash）控制主控及储存解决方案领导厂商群联电子（Phison ; TPEX:8299）将展出多项最新的闪存控制主控技术及相关解决方案，其中最受到业界瞩目的顶极PCIe规格的SSD控制主控PS5012-E12(简称E12)首度在亚洲国际会展上亮相，由于PS5012-E12是业界同等级PCIe Gen3x4 NVMe SSD控制主控中测试效能最高的顶极产品，并受到多家国际客户关注，目前该产品不但进入客户送样阶段，并预计推出新版本PS5012-E12 DC，以符合客户在云端储存、边缘运算储存以及区块链高保密性储存等高阶应用需求。
群联电子潘健成董事长指出，PS5012-E12 是群联电子第三代的PCIe Gen3x4 NVMe SSD旗舰控制主控，整合了本公司最新及最强大的科技，包含了CoXprocessor 2.0、LDPC 3.0、以及DSP (数字信号处理器/Digital Signal Processor)，高效能水平为我们的伙伴客户们提供了最适合PCIe SSD的电竞相关产品，并满足追求极致高速效能的PC计算机玩家们的储存需求。群联电子趁胜追击，为因应云端储存、边缘运算储存以及区块链高保密性储存等高阶应用需求持续成长趋势，将针对PS5012-E12推出新的数据中心版本目前代号为PS5012-E12 DC。预计透过优化PS5012控制主控韧体，新版本PS5012-E12DC能提供优化的耐用度 (endurance)、低等待时间 (low latency)、及稳定可靠的效能 (sustained performance)将可助力客户发展企业服务器等高阶储存市场版图。
在群联电子研发团队的共同努力之下，PS5012-E12DC SSD控制主控在效能上已经接近PCIe Gen3x4的4GB/s 带宽理论值，不仅效能远胜于市面上所有同等级产品 (连续读写达到 3400 MB/s及3000 MB/s, 随机读写达到 600K IOPS)，最高容量更达到了8TB，且提供了M.2, U.2, 及AIC等不同的外观尺寸，将可完美符合目前最火红的电竞及高阶PC/NB市场的解决方案。由群联电子创新开发的CoXprocessor 2.0技术不仅让PS5012-E12 SSD控制主控的连续写入效能达到了领先业界的超高速境界，而600K IOPS的4K随机读写效能更是在消费型SSD控制主控市场前所未见的高标水平。
PS5012-E12控制主控采用先进的28奈米制程，且配置了专为最新的3D TLC闪存技术的高整合、低功耗的第三代LDPC除错引擎 (LDPC 3.0 ECC Engine)，此ECC除错引擎技术还能支持下一代的闪存技术3D QLC，是群联电子目前最新的ECC技术。而最高容量能达到8TB (32 CE/Chip Enable) 的PS5012-E12，更是一颗能满足目前大数据应用的高阶旗舰产品。
在2018年台北国际计算机展会期间，群联电子也将展出全系列最新的闪存控制主控技术及相关解决方案，包含了目前最高阶的PS5012-E12DC SSD旗舰控制主控、次世代PS3112-S12DC SATA III SSD控制主控、专为行动装置设计且有着SSD效能的UFS card、以及已经有许多品牌伙伴客户采用的ThunderboltTM 3 外接式SSD。另方面，随着兴起的物联网 (IoT) 及人工智能 (AI) 应用发展趋势，群联电子也将展示专为影像监控系统设计的SD/microSD card解决方案，以及有着高度安全的指纹辨识USB随身碟。
关于群联电子
群联电子 (Phison Electronics Corp.) (TPEX:8299) 为全球闪存（NAND Flash）控制芯片及储存解决方案领导厂商。身为闪存专家，从IP技术授权、芯片设计、系统架构解决方案、系统整合、成品，提供不同需求的客户最佳的产品及服务。在各项产品类别上，包括SSD (PCIe/SATA/PATA)、eMMC／UFS、SD、或是USB接口皆可提供完整的储存解决方案，客户应用亦遍及各类消费性电子、企业级、以及工业车用。在标准制定上，群联电子担任SDA、ONFI、UFSA的董事会成员，并积极贡献JEDEC、PCI-SIG、MIPI、NVMe、IEEE-SA等规范。