全球闪存（NAND Flash）控制芯片及储存解决方案领导厂商群联电子（Phison ; TPEX:8299）今（11）日正式发表通过最新VPG 65规范、可支持 4K超高分辨率录像1066X之CF记忆卡解决方案，内载群联电子控制芯片PS3016-P10、搭载最新64层3D TLC NAND技术闪存，访问速度高达读取160MB/s、写入150MB/s，适用于专业4K超高分辨率单眼相机等摄录像设备使用。
近年来，除了智能城市、无人商店的兴起，加计智慧车、无人车发展带动了行车纪录器等安控、车载应用，以及对于要求高稳定性及可靠度的专业摄录像市场，带动记忆卡朝向更高阶之解决方案发展。值得一提，今年以来，各国际数字相机大厂着眼于电影的影集、MV短片专业摄影工作者多朝向多媒体影音制作发展，因此高阶的单眼相机几乎多了一项录像拍摄功能。
有鉴于具备录像功能的高阶单眼相机，正朝向4K、甚至8K等超高分辨率的影音录制规格发展，而4K较过去Full HD的规格多出四倍的分辨率格式，因为每秒写入的数据量亦倍增，对记忆卡的读写入速度要求也提高，因此群联电子推出最新PS3016-P10记忆卡解决方案，并符合CF协会最新VPG-65规范，可达到256GB最高之储存容量，不但能储存更多高画质的照片以及影片，且使用了UDMA 7，相较前一代产品之连续读和写的速度大幅提升一倍，将可满足高阶单眼4K录像之速度需求。
- VPG规范说明:
VPG是CF协会 (CompactFlash Association) 制定的录像速度保证规范，主要是为了高分辨率录像而订定的最低写入速度要求。当应用程序在持续写入数据时，可确保写入速度不会低于此保证速度，让用户在录制高分辨率的影片时，不用担心录像时发生中断的憾事。Profile 1 版本最低写入速度要求为 20MB/s，以VPG 20标示，因应4K超高分辨率录像的应用，Profile 2 版本将最低写入速度大幅提升至65MB/s，以防止4K录像中断所带来的影片质量下降的困扰，在CF卡上会标示VPG 65。
- 群联电子PS3016-P10 CF解决方案简述:
容量: 16GB~256GB
连续读／写速度: 160/150 MB/s
界面: PCMCIA / IDE
规范:CF6.0 (UDMA 7): 版本: VPG 20和VPG 65
全球闪存（NAND Flash）控制芯片及储存解决方案领导厂商群联电子（Phison ; TPEX:8299）潘健成董事长今(19)日受邀于CFMS 2018 (中国闪存市场峰会)进行演说，潘健成表示:「NAND Flash控制芯片进入非常昂贵的1x奈米等级的晶圆制造阶段、加计3D NAND验证成本高于2D，种种IC开发现况看地出来，除了垫高IC设计后来者的进入门坎，若单单只做IC设计的生意其获利是大不如从前，然而，这现况却能凸显群联电子的优势。
群联电子过去18年来透过策略合作方式实现了IC设计一条龙的成功商业模式，未来，将更加积极接纳全球各种策略性伙伴，期能携手伙伴们在5G、物联网、车联网、以及人工智能等多项创新科技共同抢攻海量信息的储存商机。
全球闪存产业界一年一度在大陆的盛大高峰会于今(19)日在深圳正式展开，包括美光、英特尔、长江存储、紫光存储、西部数据、三星等各大国际闪存原厂皆参与该盛会，并同台为闪存前瞻性之技术发表看法及现况，今年现场参与之产业人士逾1,500人，创下人次新高。群联电子作为闪存独特一条龙商业模式的成功典范，创办人暨董事长潘健成在大会力邀下，今年首度出席，并以「内存-闪存-存储 前世、今生、展望」为题向产业内人士进行演说，阐述其投身内存产业近18年来的产业观察。
潘健成演说时表示，「NAND Flash正式进入3D制程发展，其相关控制芯片之晶圆制造制程则在近两年正式进入1x奈米时代，因此NAND Flash控制芯片的设计愈加复杂、所需要运用的人力及银弹等资源耗费较市场成长的幅度来地高，以目前全球PCIe规格效能跑分评鉴最佳的群联电子SSD控制芯片PS5012-E12来看，该颗芯片的成功除了累积数十年的功力外，在研发人力、时间、设计工具、晶圆先进制程光罩费、3D NAND验证费…等等资源全数换算为可被评价的费用，总计超过1.55亿人民币，相较18年前群联电子初创业时的环境所需投入成本的多了好几倍。
当今闪存的现况，对控制芯片设计业者而言，除了上述的军备战的竞争形成技术进入障碍，另方面，NAND Flash制造之国际原厂相继提高自给设计的控制芯片案量，因此整体市场独立芯片厂的控制芯片的市场规模的成长幅度是低于储存容量需求的成长率，所以，控制芯片取得的获利也变薄、这对刚刚要跨入闪存IC设计这一行业者而言是进入门坎被垫高，简而言之，如今若只卖IC，这生意不好做要赚钱变得更困难。
对于群联电子而言，有鉴于5G、物联网、车联网、以及人工智能等多项创新科技的信息储存需求只增不减，人类使用内存容量的提升仍会为产业带来商机，加计群联电子过去以来的商业模式不是只卖IC，因此未来将擅用这多年来的产业经验值、逾1,700件的自有IP专利、逾千名的研发人员、专注经营闪存应用所掌握的市场弹性、一年逾13亿美元的营收、以及年平均出货6亿颗IC等规模经济之6大实力，并加以积极寻找长期合作的策略性伙伴，共同扩大发展闪存应用市场之伙伴们扩大市场及技术发展。」
搭载64层3D QLC NAND Flash主控芯片S11T正式出货
全球闪存（NAND Flash）主控芯片及储存解决方案领导厂商群联电子(Phison ; TPEX:8299) 搭载美系国际原厂最新QLC规格64层3D NAND Flash 之的SSD主控芯片PS3111-S11T解决方案于本月正式出货。群联电子董事长潘健成表示，「QLC规格的单颗Flash晶粒储存空间较上一代TLC规格多出1倍，容量升级、价格亲民，这象征着SSD(固态硬盘)正式迎接低价大容量的时代！」
潘健成进一步指出，各国际闪存(NAND Flash)制造原厂陆续突破3D堆栈技术良率瓶颈后，技术演进正快速发展，次世代规格QLC的3D NAND Flash颗粒如今较预期提前一个季度于近期推出，该技术进程速度令业界专家都跌破眼镜，亦为SSD扩大渗透率带来新动能。由于群联电子领先同业在今年上半年正式取得搭载QLC的一系列主控芯片测试验证、以及推出最新版之纠错保护机制，而今水到渠成，因应客户需求甫于本月出货搭载64层QLC之SSD主控芯片PS3111-S11T解决方案。
最新64层QLC之3D NAND Flash单颗容量即可达128GB，搭载群联电子PS3111-S11T解决方案应用于SSD上的容量从258GB起跳，并搭配群联电子自有第四代SmartECC™纠错机制套件，让大容量的QLC优势亦能兼具速度效能，不论是连续读取或是写入之效能皆能维持在550 MB/s、450~510MB/s的高速水平，至于随机读取/写入(IOPS)速度亦可维持在33万~61万次，以及85万~88万次之高效能水平，终端应用也将因为产品属性符合低价大容量，将适合通路客户拓展互联网服务业、中小型企业等更多元创新的应用市场布局。
最新搭载64层QLC之SSD主控芯片PS3111-S11T规格效能表:
关于群联电子
群联电子 (Phison Electronics Corp.) (TPEX:8299) 为全球闪存（NAND Flash）控制芯片及储存解决方案领导厂商。身为闪存专家，从IP技术授权、芯片设计、系统架构解决方案、系统整合、成品，提供不同需求的客户最佳的产品及服务。在各项产品类别上，包括SSD (PCIe/SATA/PATA)、eMMC／UFS、SD、或是USB接口皆可提供完整的储存解决方案，客户应用亦遍及各类消费性电子、企业级、以及工业车用。在标准制定上，群联电子担任SDA、ONFI、UFSA的董事会成员，并积极贡献JEDEC、PCI-SIG、MIPI、NVMe、IEEE-SA等规范。