群联SD 5.1 A1之控制芯片 PS8131导入BiCS3技术
群联新推出SD 5.1 A1之MaxIOPS系列控制芯片 PS8131
全球NAND Flash控制芯片领导厂商群联电子今(24)日于2017年SD协会全球技术研讨会上介绍新推出的可搭载东芝64层垂直储存的 3D NAND ( BiCS3)的技术SD 5.1 A1规范兼容之MaxIOPS系列记忆卡控制芯片PS8131，相较于前一代2D NAND版本的产品，其效能速度快上2倍。
群联电子深耕SD控制芯片技术，随着5G、4K8K等高阶规格数字串流时代来临，正积极地抢攻各种高阶智慧手机、平板计算机等智能行动装置之闪存市场，并提供稳定且可靠的扩充型记忆卡解决方案，今年度，随即推出符合SD最新规范芯片PS8131，该芯片不仅具备群联电子自主开发技术，更搭配了最新制程3D TLC的 NAND Flash，将为市场提供一个高速且符合经济效益的完整解决方案。
在效能表现上，PS8131延续前一代的MaxIOPS系列技术，为具备SD 5.1 A1规范的NAND Flash高阶控制芯片，能提供高于前一代产品2倍的随机写入速度 (从 500 IOPS 提升至 1300 IOPS)，并强化了控制芯片的硬件及韧体架构，而且不仅能兼容于目前的Android Marshmallow操作系统，更能流畅支持最新的Nougat操作系统，与智能行动装置的内存透过嵌入式扩展储存功能 (Adoptable storage function) 完美的整合运作，让终端使用者能有更高的内存储存容量可以使用，提升用户经验。
在技术发展上，PS8131支持群联电子自主开发的最新科技StrongECCTM纠错技术，因此不但具备精简及低功耗的设计特性，更能增加3D NAND Flash的可靠度，且预计于今年上半年开始出货搭载具备东芝(Toshiba)64层垂直储存的 3D NAND ( BiCS3)的高容量储存解决方案，而PS8131容量支持将从32G至256GB皆可达到优化表现。
另方面，PS8131符合目前最新的SD 5.1 A1 规范 (Application Performance Class)，具备超高性能，表现在Read/Write IOPS, PS8131 MaxIOPS+ 轻松达到2000/1300， 远高于SD 5.1 A1 规范的1500/500，不但能为Android 7.0 / 6.0装置的用户提供即刻扩充内部存储器储存容量的便利性，更能完美的与行动装置内存整合运作，将行动装置用户体验提升到全新水平，以满足日益增加的高容量移动储存需求的智能型手机、平板计算机等新一代行动装置扩展内存储存的需求。
今年的SD协会全球技术研讨会, 在SD协会主持下，百佳泰、东芝、群联等也热情参与协办和支持并分享最新记忆卡技术, 共同推广SD协会的最新规范，为新一代的高阶行动及摄像装置做准备。
群联电子胜诉通告 (控告巴西U-Tech公司)
群联电子股份有限公司(下称“群联”)于2011年9月在巴西发起诉讼，控告客户U-TECH DO BRASIL INDÚSTRIA, IMPORTAÇÃO, EXPORTAÇÃO E DISTRIBUIÇÃO LTDA. (“U-TECH”)及其法定代理人暨保证人Mr. Daniel Modelis (“Mr. Modelis”)未支付群联货款。本案历经数年审理，巴西圣保罗地方法院以及上诉法院分别于2014年10月以及2017年3月双双判决群联胜诉，法院谕令U-TECH以及Mr. Modelis应偿还群联货款及其他损害赔偿。待本案后续法律程序完备后，群联将执行法院判决以捍卫其权益。
群联电子SSD芯片PS5008通过BiCS3测试扩大市占率
闪存（NAND Flash）控制芯片领导厂商群联电子（8299）于今（7）日正式宣布，符合PCI-e规格的固态硬盘（SSD）芯片PS5008 （代号E8）正式通过3D NAND Flash BiCS3测试。群联电子董事长潘健成表示，2017年下半年PC/NB OEM的SSD市场将由PCI-e G3x2 正式扮演主流规格，PS5008作为全球第一个成熟量产符合该规格的芯片，也将挟其高性价比的优势助力群联电子在今年可以快速扩大SSD的市占率。
潘健成表示，2016年eMMC/eMCP成为智能型手机嵌入式内存主流，群联电子展现技术爆发力，在该年度相关芯片的出货量创下新高，并推升公司获利改写历史最高纪录。进入2017年，群联电子将站上PC/NB OEM的SSD市场正式由PCI-e取代 SATA规格的趋势浪头上，将推出一系列完整的PCI-e规格芯片，尤其甫通过3D NAND Flash BiCS3测试的中阶主流产品PS5008于今年第一季完成导入量产，第二季正式出货，并规划在第三季推出non-DRAM 版本的PS5008 (代号E8T)，群联电子将藉由完整的产品布局作大SSD市场。
群联电子作为NAND Flash闪存控制芯片技术领导者，2017年全系列产品皆可搭载3D NAND Flash规格版本，继PS3110- S10(简称S10)、PS3111- S11(简称S11) 3D NAND Flash BiCS3测试后，扮演今年SSD主流产品的PS5008亦通过BiCS3测试。
PS5008搭载最新东芝3D TLC BiCS3的NAND Flash的速度表现将可以达到连续读写1600MB/s、1300MB/s，且随机读写可以达到240K IOPS、220K IOPS，并基于LDPC技术将强化并确保 3D TLC 可靠度，以达到提升整体系统环境省电功效。
潘健成表示，群联电子在闪存技术深耕多年，除了掌握眼前PC/NB OEM的SSD规格转换需求之外，着眼于未来智慧医疗、智慧城市、工控及车载等相关的新应用市场将持续带动eMMC/eMCP/UFS、SSD等相关产品需求强劲成长，群联电子持续投资芯片研发、挺进高阶制程的脚步，以迎接令人期待的产业荣景。
美国消费性电子展 群联大秀超高速NAND Flash控制晶片
【竹南讯 / 1月6日】
美国消费性电子展（CES）为2017年科技年度大秀揭开序幕，全球顶尖的科技厂商齐聚拉斯维加斯展示年度新品，快闪记忆体（NAND Flash）控制晶片设计大厂群联电子（8299）今年将积极扩大全球市场布局，也选在美国大展上首度让SSD、UFS、SD、及USB等四大终端应用的控制晶片一次全部登场亮相。
受惠于互联网、智慧化应用市场带动，云端运算大数据资料中心建置正快速推升超高速固态硬碟（SSD）的渗透率进入猛爆式成长阶段，群联电子在SSD应用市场，因应不同的应用市场推出不同的NAND Flash控制晶片，包括有最新推出符合PCIe Gen 3x2 NVMe规格的PS5008-E8，将扮演群联电子今年积极抢攻主流应用装置市场的领头产品。
在企业级的SSD应用市场方面，近期群联电子甫与美国Liqid公司宣布合作，现场将展示出采用群联电子超高速的8通道PCIe Gen3x4 PS5007-E7控制晶片等相关产品，以及双方共同推出世界上最快的U.2 SSD也将亮相。另方面，符合SATA规格的控制晶片解决方案包括有PS3110-S10、PS3111-S11T以及专攻企业级的S10DC。
在UFS方面，群联电子作为世界上少数从eMMC转向UFS的业界领导公司，将持续推动行动储存装置进入新的世代。日前正式宣布新推出支援UFS2.1的全新PS8311控制晶片也将于CES展出。PS8311控制晶片特别搭配群联电子自有技术，StrongECCTM以及CoXProcessorTM架构，因此不仅提供低功率消耗，更展现了与SSD相近的效能表现。
近一年需求突然爆发的SD方面，群联电子最新符合SD5.1 A1规格兼容的SD & microSD卡的控制晶片PS8131也将在CES亮相。PS8131 MaxIOPS+具有高于上一代两倍写入IOPS速度的绝对优势，其具备2000/1300 IOPS的读写速度，亦超越目前业界SD5.1 A1标准的速度要求规格，并采用更具竞争力3D TLC以及着重于高容量应用市场。用户可以确信其micorSD卡在高性能要求的应用环境下能轻易地满足相容性以及性能 ，包括Android操作系统中的可融合式储存装置 （adaptable storage）。
在USB系列产品方面，群联电子最新的携带式SSD SU31，将可以让现场的参观者透过现场的效能实测展示看到SU31卓越的性能表现。除此之外，会场中也将展示全新的iDUO Lightning 以及 C-Thru USB3.1解决方案，让用户能在使用储存装置时也能对手机或移动设备同时充电。
群联电子新闻联络人:
董事长室资深特别助理
于绍庭 (037)586896 # 1019
官振华 (037)586896 # 1029
迎接3D TLC NAND Flash内存新时代，群联推出UFS 2.1芯片PS8311
【12月16日】
未来智能型手机旗舰机种对于更高速、超高画质影音的储存需求随着5G行动通讯、4K影音及虚拟现实 (VR) 等技术成熟已正式引爆！瞄准这波行动装置内存规格的新时代来临，全球闪存芯片领导企业群联电子正式宣布，新推出支持3D TLC的UFS 2.1闪存控制芯片PS8311，该芯片预计于2017年第一季正式量产出货。
群联电子同时也是国际闪存组织 (UFSA) 的董事成员，群联电子董事长潘健成表示：「我们成功在eMMC /eMCP的行动装置内存市场上取得领先地位，因应内存原厂明年3D TLC 产能将全面开出并成为主流，群联电子率先推出符合 JEDEC UFS 2.1规格的闪存控制芯片PS8311，支持多家大厂的 3D TLC，将可助力客户推出更贴近消费者一再要求更高速、更大容量行动储存需求的产品。」
潘健成进一步指出，「着眼于高阶智能型手机一线品牌客户对终端产品差异化的设计要求，群联电子除了首款UFS 2.1控制芯片PS8311之外，2017年将再推出一系列的UFS芯片，提供各种不同规格的解决方案以完善产品线供客户选择。」
群联电子PS8311 透过独有的Strong ECC 错误修正技术、CoXProcessor架构、加上自行研发的M-PHY、UniPro、 UFS 物理层硅智财，在先进封装制程之下，可以提供客户多种行动内存解决方案，包括UFS记忆卡、嵌入式UFS、搭载DRAM的uMCP等。
UFS 为新世代的行动内存储存系统标准，可望取代目前主流的eMMC与 eMCP，成为旗舰手机的标准配备。相较于 eMMC 标准，UFS 2.1 使用更快的串行接口，并支持全双工（Full Duplex）与命令队列 (Command Queue) 等新规格。PS8311 的实测序列读取速度足足比 eMMC快了30％，同时在IOPS的表现亦远远超过eMMC，随机读取速度达28,500 IOPS，写入速度为26,500 IOPS，相当于比eMMC快上了2至3倍，将行动装置用户体验提升到全新水平。
群联电子闪存控制芯片PS8311简述:
-符合UFS 2.1、High-Speed Gear 3、单信道传输/双信道接口
-支持 2D & 3D TLC、八组 NAND 颗粒，容量最大达 256GB
-独有的Strong ECC技术，相较于传统 BCH ECC，达到节电7成、解碼效能提升3成、可强化并确保 3D TLC 可靠度
-独有的CoXProcessor架构承袭 PCIe架构的设计理念，可减少系统延迟、提升随机访问速度
-自行开发M-PHY物理层，UniPro & UFS IP，掌握核心技术，提升设计弹性
-3D TLC连续读／写速度达到 410/235 MB/s
-3D TLC随机读／写速度达到 28.5K/26.5K IOPS
关于群联电子
群联电子 (Phison Electronics Corp.) (TPEX:8299) 为全球闪存（NAND Flash）控制芯片及储存解决方案领导厂商。身为闪存专家，从IP技术授权、芯片设计、系统架构解决方案、系统整合、成品，提供不同需求的客户最佳的产品及服务。在各项产品类别上，包括SSD (PCIe/SATA/PATA)、eMMC／UFS、SD、或是USB接口皆可提供完整的储存解决方案，客户应用亦遍及各类消费性电子、企业级、以及工业车用。在标准制定上，群联电子担任SDA、ONFI、UFSA的董事会成员，并积极贡献JEDEC、PCI-SIG、MIPI、NVMe、IEEE-SA等规范。